삼성전자, 세계 최초 M램에 의한 인메모리 컴퓨팅 시연 VIDEO: Samsung Demonstrates the World’s First MRAM Based In-Memory Computing
삼성전자가 M램 기술에 의한 차세대 AI 반도체 제작 연구결과가 '네이처'에 실렸다.
첨단 반도체 기술 강국 삼성전자가 세계 최초로 M램(Magnetoresistive Random Access Memory)을 기반으로 한 인메모리 컴퓨팅 시연을 오늘 발표했다. 이 혁신에 관한 논문은 1월 12일(GMT) Nature가 온라인에 게재했으며, 다가오는 Nature 인쇄판에 게재될 예정이다. '인메모리 컴퓨팅용 자기저항 메모리 소자 크로스바 배열'이라는 제목의 논문은 삼성의 메모리 기술 리더십과 차세대 인공지능(AI) 칩용 메모리·시스템반도체 합병 노력을 소개한다.
이번 연구는 삼성종합기술원(SAIT)이 삼성전자 파운드리 사업 및 반도체 R&D 센터와 긴밀히 협력하여 주도했다. 논문의 제1저자인 정승철 사잇 연구원과 공동저자인 닥터 박사를 소개한다. 함돈희 하버드대 교수와 김상준 SAIT 기술부총장이 연구를 주도했다.
표준 컴퓨터 구조에서 데이터는 메모리 칩에 저장되며 데이터 컴퓨팅은 별도의 프로세서 칩에서 실행된다.
이와 대조적으로 인메모리 컴퓨팅은 메모리 네트워크에서 데이터 스토리지와 데이터 컴퓨팅을 모두 수행하려는 새로운 컴퓨팅 패러다임이다. 이 방식은 데이터를 이동할 필요 없이 메모리 네트워크 자체에 저장된 많은 양의 데이터를 처리할 수 있고 메모리 네트워크의 데이터 처리가 매우 병렬적으로 실행되기 때문에 전력 소비를 상당히 줄일 수 있다. 인메모리 컴퓨팅은 차세대 저전력 AI 반도체 칩 실현을 위한 유망 기술 중 하나로 떠올랐다.
이러한 이유로 인메모리 컴퓨팅에 대한 연구는 세계적으로 활발하게 추진되어 왔다. 비휘발성 메모리, 특히 RRAM(Resistive Random Access Memory)과 PRAM(Phase-Change Random Access Memory)은 인메모리 컴퓨팅을 시연하기 위해 활발히 사용되고 있다. 이에 비해 지금까지 인메모리 컴퓨팅에는 동작 속도와 내구성, 대량 생산 등 MRAM의 장점에도 불구하고 비휘발성 메모리의 또 다른 종류인 MRAM을 활용하기가 어려웠다. 이러한 어려움은 표준 인메모리 컴퓨팅 아키텍처에 사용할 때 MRAM이 전력 절감 이점을 누릴 수 없기 때문에 발생한다.
황기철 콘페이퍼 에디터 인플루언서
Ki Chul Hwang Conpaper editor influencer
(Source:
Samsung Demonstrates the World's First MRAM Based In-memory Computing
