세계 최초 무결점 그래핀 제작 [기초과학연구원(IBS)] Korean breakthrough in world’s most perfect graphene to date featured in Nature

 

‘무결점 그래핀’대면적으로 제작 

대량 생산 가능성도 확인 

 

기존 그래핀 대비 전기적 물성 약 3배 우수 

네이처(Nature)지에 논문 게재 

 

  기초과학연구원(IBS) 다차원 탄소재료 연구단장 로드니 루오프는 접힘과 적층이 없는 완벽한 단결정 그래핀을 대면적으로 제작하는데 세계 최초로 성공했다.

 

과학기술정보통신부(장관 임혜숙)와 기초과학연구원(원장 노도영)은 이번 성과가 세계 최고 권위 국제학술지 네이처(Nature, IF 49.962)에 8월 26일 0시(한국시간) 게재되었다고 밝혔다.

 

한국기초과학연구원(IBS) 연구진이 세계 최초로 주름과 주름, 애드 레이어 없는 그래핀을 성공적으로 배양해 차세대 반도체 소재가 될 수 있다는 전망을 내놨다

 

그래핀(graphene)은 탄소 원자들이 벌집처럼 육각형으로 나열된 2차원 물질이다. 얇고 투명하지만 강철보다 강하고, 우수한 열‧전기전도성을 지니는 등 탁월한 물성으로 주목받았다. 고성능 그래핀 합성에는 일반적으로 화학기상증착법(CVD)이 쓰인다. 구리와 같은 얇은 금속 호일(박막) 위에서 그래핀을 성장시키는 방식이다.  지금까지 CVD를 이용한 수많은 그래핀 합성 연구가 보고됐지만, 항상 부분적으로는 여러 층의 그래핀이 겹친 ‘적층 구역’이나 군데군데 주름진 ‘접힘 구역’이 존재했다. 2차원 물질로 분류되지만 역설적이게도 전 면적에 걸쳐 순수하게 원자 한 층으로 이뤄진 그래핀은 아직까지 개발된 적 없다는 의미다.

 

  그래핀의 적층이나 접힘은 전기적 물성을 떨어뜨리는 요인이 된다. 뿐만 아니라 그래핀의 접힘 부분에서는 그래핀의 기계적 강도를 낮추는 균열도 발생한다. ‘꿈의 신소재’라는 별명을 가진 그래핀의 우수한 물성을 완벽하게 활용하기 위해서는 적층과 접힘을 모두 없앤 무결점 그래핀의 개발이 필요하다.

 

이번 연구로 접힘과 적층 없는 대면적의 완벽한 단결정 그래핀을 활용하면 소재의 위치나 방향과 무관하게 항상 같은 효율을 내는 고성능 집적 회로를 만드는 것이 가능하게 되었다.

 

 

‘무결점 그래핀’을 다른 2차원 재료와 함께 적층하여 사용한다면 지금까지 개발되지 않았던 놀라운 성능을 보이는 소자를 개발할 수 있어 전자, 광자, 기계와 같은 다양한 분야에서 우수한 성능의 그래핀을 활용할 수 있는 길을 연 것이다.

 

그래핀은 탄소 원자들이 벌집처럼 육각형으로 나열된 2차원 물질이다. 얇고 투명하며 신축성도 뛰어나지만 강철보다 200배 이상 강하고, 구리보다 100배 이상 전자의 이동성이 빠르며, 다이아몬드와 유사하게 열전도성이 높아 탁월한 물성으로 주목받아 왔다.

 

하지만 부분적으로 여러 층의 그래핀이 겹쳐진 ‘적층 구역’이나 주름진 ‘접힘 부분’이 존재했고 그러한 적층이나 접힘은 그래핀의 기계적‧전기적 물성을 떨어뜨리는 요인이 되었다.

 

연구진은 2019년에 적층 없는 그래핀 제작까지는 성공*했지만, 접힘 문제까지는 해결하지 못했다.

* 연구진은 그래핀 제작에 기판으로 사용되는 시판 구리 호일에 함유된 탄소 불순물로 인해 그래핀에 적층이 생김을 규명하고, 적층 구역이 없는 대면적 그래핀 제작에 성공했다. 연구결과는 국제학술지 ‘어드밴스드 머터리얼스(Advanced Materials)’에 실렸다.

 

[그림 1] 그래핀에 접힘이 발생하는 메커니즘 그래핀의 접힘 부분을 전자현미경(a,b) 및 원자현미경(c)으로 촬영한 모습. 통상 그래핀은 1320K 이상의 고온에서 성장하는데, 냉각되는 과정에서 접힘이 발생한다. 연구진의 분석결과 약 1030K 이상의 온도에서 접힘이 발생하는 것으로 확인됐다.

 

 

이번 연구에서는 그래핀의 성장 후 냉각 과정에서 접힘이 발생한다는 점에 착안하여 접힘이 일어나는 온도를 조사했고 그 결과 ‘무결점 그래핀’ 제작에 성공했다.

 

통상 그래핀은 1320K(1046.85℃) 이상의 고온에서 합성된 후 실온까지 냉각하는데, 1030K(756.85℃) 이상의 온도에서 접힘이 형성됨을 발견했다.

 

이에 접힘이 발생하지 않도록 1030K(756.85℃) 이하의 저온에서 그래핀을 성장시켜본 결과, 냉각과정을 거쳐도 접힘 및 적층이 없는 완벽한 ‘무결점 그래핀’을 합성할 수 있었다.

 

[그림 2] ‘무결점 그래핀’을 제조하기 위한 실험 장비 연구진은 대면적 그래핀을 합성할 수 있는 장치(왼쪽)를 자체적으로 개발했다. 가운데는 샘플 홀더이며, 오른쪽 사진은 4×7㎠ 크기로 합성된 ‘무결점 그래핀’ 한 장을 4인치 크기 실리콘 웨이퍼 위에 전사한 모습이다.

 

무결점 그래핀의 전하 이동도*는 6~8000㎠/Vs로 실리콘에 비해 7배, 기존 그래핀에 비해 약 3배 높았다. 전하이동도가 높을수록 더 적은 전력으로도 높은 성능을 낼 수 있음을 의미한다.

* 물질 내에서 전하 입자가 얼마나 잘 이동할 수 있는가를 나타내는 지표

 

 

연구진은 대량 생산의 가능성도 입증했다. 구리-니켈(Cu-Ni(111)) 호일을 기판으로 사용해, 4×7㎠ 크기의 무결점 그래핀 5장을 동시에 제조하는 데도 성공했다. 또, 호일을 5번 재사용해도 중량 손실이 0.0001g에 불과해 호일을 무한정 재사용할 수 있다는 것도 장점이다.

 

기초과학연구원 로드니 루오프 단장은 “우리 연구진은 최적의 그래핀을 합성하기 위한 기판의 개발, 그래핀의 적층과 접힘을 없애기 위한 연구 등 ‘무결점 그래핀’ 개발을 목표로 연구를 수행해왔다”며 “7년의 장기연구가 결실을 맺은 것으로, 향후 무결점 그래핀의 독특한 물성을 추가로 연구할 계획”이라고 말했다.

기초과학연구원 

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